ماسفت IRFP250M

ویژگی‌های محصول
  • نام قطعه: ماسفت IRFP250M
  • برند: IR
  • پکیج: TO-220
  • تعداد پین: 3
  • نوع کانال: N-CHANNEL
  • جریان کاری: 30 آمپر
  • دمای کاری: 150+~55-
  • ولتاژ کاری: 200 ولت

ماسفت IRFP250M

ترانزیستور IRFP250M یک پاور ماسفت N-Channel

با قابلیت سوییچ زنی سریع و آستانه تحمل ولتاژ 200 ولت

آستانه تحمل جریان 30 آمپر پکیج TO-247

دانلود ديتاشيت :IRFP250M

نوع فايل : PDF      حجم : – کیلوبایت

pdf-mytronic
فروشنده: فروشگاه مایترونیک
قطعات اورجینال
ضمانت اصالت کالا
15 عدد در انبار
  • ارسال توسط فروشگاه اینترنتی مایترونیک
بازگشت
فروشگاه مایترونیک
(عضویت: 1400-01-15)
100%
تامین به موقع
100%
تعهد ارسال
100%
بدون مرجوعی
16.7% رضایت از کالا (6 نفر)
کاملا راضی
کاملا ناراضی
بازگشت
  • ارسال توسط فروشگاه اینترنتی مایترونیک
    پس از خرید این کالا مایترونیک پیگیری لازم را برای پرداخت و بسته بندی انجام می دهد و توسط سیستم حمل و نقل درخواستی مشتری ارسال می کند.

40,500 تومان

15 عدد در انبار

onlineخرید آنلاین
expressتحویل اکسپرس
Supportپشتیبانی فنی
paymentپرداخت مستقیم
originalقطعات اورجینال

توضیحات

ماسفت IRFP250M

ترانزیستور IRFP250M یک پاور ماسفت N-Channel با قابلیت سوییچ زنی  با سرعت بالا  می باشد

تحمل ولتاژ 200 ولت پکیج TO-247 اورجینال

تحمل جریان 33 آمپر در 25 درجه

 

ماسفت IRFP250M

ماسفت IRFP250M ساخت IR

 

 مورد استفاده در انواع :

    • مبدل های DC به DC
    • سوئیچ‌ های با جریان و سرعت بالا
    • منابع برق اضطراری ( یو پی اس ها UPS )

 

 

irfp250m 2

ماسفت IRFP250M ساخت IR

 

توضیح مختصری از ترانزیستور های ماسفِت

ماسفِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌ رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET)

معروف‌ ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است.

اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.

دلیل این نام‌ گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور.  یک لایه ی اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایه ی گِیت قرار گرفته است.

این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد.

در آن هنگام، ساخت و به‌ کارگیری این ترانزیستورها. به سبب نبود علم و ابزار و امکان. با دشواری همراه بود و از همین روی،

برای پنج دهه فراموش شدند. و از میدانِ پیشرفت‌ های الکترونیک بر کنار ماندند.

در آغازِ دهه ی ۷۰، بار دیگر نگاه‌ ها به ماسفِت‌ ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌ های گِیت (ABAS GSM)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌ گیرند.

در این ترانزیستور، گیت (پایه ی کنترلی)، جریانی نمی‌ کشد، و چنانکه از نام ترانزیستور پیداست،

تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌ شود.

از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌ شود. هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌ گذارد.

و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.

عمده تفاوت ماسفِت با ترانزیستور JFET در این است که :

گیت ترانزیستور های ماسفِت توسط لایه‌ ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌ است.

به این دلیل به ماسفِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌ شود.

مدارهای مجتمع بر پایه ی فناوری ماسفت را می‌ توان بسیار ریزتر و ساده‌ تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستور های دوقطبی ساخت.

بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌ های پیچیده و مقیاس‌ های بزرگ) نیازی به مقاومت. دیود یا دیگر قطعه‌ های الکترونیکی داشته باشند.

همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ ها را آسان می‌ کند، چندان که :

هم‌ اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایه ی فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستور های MOS، بسته به کانالی که در آن‌ ها شکل می‌ گیرد، N channel یا P channel نامیده می‌ شوند.

در آغازِ کار، P channel ترانزیستورِ پر کاربرد تر در فناوری MOS بود.

اما از آن جا که ساختنِ N channel آسان‌ تر است و مساحتِ کم‌ تری هم می‌ گیرد، از P channel پیشی گرفت.

 

ماسفت IRFP250M

ماسفت IRFP250M ساخت IR

 

Package / Case : TO-247-3

Number of Channels : 1 Channel

Transistor Polarity : N-Channel

Vds – Drain-Source Breakdown Voltage : 200 V

Id – Continuous Drain Current : 30 A

Rds On – Drain-Source Resistance : 85 mOhms

Vgs – Gate-Source Voltage : 20 V

Maximum Operating Temperature : + 150 C

Fall Time : 62 ns

Height : 20.7 mm

Length : 15.87 mm

Minimum Operating Temperature : – 55 C

Pd – Power Dissipation : 190 W

Rise Time : 86 ns

Factory Pack Quantity : 500

Transistor Type : 1 N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time : 70 ns

Typical Turn-On Delay Time : 16 ns

 

 

محصول مرتبط با ماسفت IRFP250M

ماسفت IRF1404

 

ویژگی ها محصول

نام قطعه

ماسفت IRFP250M

برند

IR

پکیج

TO-220

تعداد پین

3

نوع کانال

N-CHANNEL

جریان کاری

30 آمپر

دمای کاری

150+~55-

ولتاژ کاری

200 ولت

نوع مونتاژ

DIP

نقد و بررسی‌ها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت IRFP250M”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

لازم است محتوای ارسالی منطبق بر عرف و شئونات جامعه و با بیانی رسمی و عاری از لحن تند، تمسخر و توهین باشد.
از ارسال لینک‌ های سایت‌ های دیگر و ارائه‌ ی اطلاعات شخصی خودتان مثل شماره تماس، ایمیل و آی‌ دی شبکه‌ های اجتماعی پرهیز کنید.
در نظر داشته باشید هدف نهایی از ارائه‌ ی نظر درباره‌ ی کالا ارائه‌ ی اطلاعات مشخص و دقیق برای راهنمایی سایر کاربران در فرآیند خرید یک محصول توسط ایشان است.
با توجه به ساختار بخش نظرات، از پرسیدن سوال یا درخواست راهنمایی در این بخش خودداری کرده و سوالات خود را در بخش «پرسش و پاسخ» مطرح کنید.
کیفیت ساخت:
کارایی:
امکانات و قابلیت ها:
ارزش خرید در برابر قیمت:

محصولات مرتبط