توضیحات

ماسفت IRFP250M

ترانزیستور IRFP250M یک پاور ماسفت N-Channel با قابلیت سوییچ زنی  با سرعت بالا  می باشد

تحمل ولتاژ 200 ولت پکیج TO-247 اورجینال

تحمل جریان 33 آمپر در 25 درجه

ماسفت IRFP250M ساخت IR

 مورد استفاده در انواع :

• • مبدل های DC به DC
  • سوئیچ‌ های با جریان و سرعت بالا
  • منابع برق اضطراری ( یو پی اس ها UPS )

ماسفت IRFP250M ساخت IR

توضیح مختصری از ترانزیستور های ماسفِت

ماسفِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌ رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET)

معروف‌ ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است.

اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.

دلیل این نام‌ گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور.  یک لایه ی اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایه ی گِیت قرار گرفته است.

این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد.

در آن هنگام، ساخت و به‌ کارگیری این ترانزیستورها. به سبب نبود علم و ابزار و امکان. با دشواری همراه بود و از همین روی،

برای پنج دهه فراموش شدند. و از میدانِ پیشرفت‌ های الکترونیک بر کنار ماندند.

در آغازِ دهه ی ۷۰، بار دیگر نگاه‌ ها به ماسفِت‌ ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌ های گِیت (ABAS GSM)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌ گیرند.

در این ترانزیستور، گیت (پایه ی کنترلی)، جریانی نمی‌ کشد، و چنانکه از نام ترانزیستور پیداست،

تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌ شود.

از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌ شود. هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌ گذارد.

و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.

عمده تفاوت ماسفِت با ترانزیستور JFET در این است که :

گیت ترانزیستور های ماسفِت توسط لایه‌ ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌ است.

به این دلیل به ماسفِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌ شود.

مدارهای مجتمع بر پایه ی فناوری ماسفت را می‌ توان بسیار ریزتر و ساده‌ تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستور های دوقطبی ساخت.

بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌ های پیچیده و مقیاس‌ های بزرگ) نیازی به مقاومت. دیود یا دیگر قطعه‌ های الکترونیکی داشته باشند.

همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ ها را آسان می‌ کند، چندان که :

هم‌ اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایه ی فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستور های MOS، بسته به کانالی که در آن‌ ها شکل می‌ گیرد، N channel یا P channel نامیده می‌ شوند.

در آغازِ کار، P channel ترانزیستورِ پر کاربرد تر در فناوری MOS بود.

اما از آن جا که ساختنِ N channel آسان‌ تر است و مساحتِ کم‌ تری هم می‌ گیرد، از P channel پیشی گرفت.

ماسفت IRFP250M ساخت IR

Package / Case : TO-247-3

Number of Channels : 1 Channel

Transistor Polarity : N-Channel

Vds – Drain-Source Breakdown Voltage : 200 V

Id – Continuous Drain Current : 30 A

Rds On – Drain-Source Resistance : 85 mOhms

Vgs – Gate-Source Voltage : 20 V

Maximum Operating Temperature : + 150 C

Fall Time : 62 ns

Height : 20.7 mm

Length : 15.87 mm

Minimum Operating Temperature : – 55 C

Pd – Power Dissipation : 190 W

Rise Time : 86 ns

Factory Pack Quantity : 500

Transistor Type : 1 N-Channel

Typical Turn-Off Delay Time : 70 ns

Typical Turn-On Delay Time : 16 ns

محصول مرتبط با ماسفت IRFP250M

ماسفت IRF1404