توضیحات
ماسفت IRFL110 SMD
ماسفت IRFL110 از نوع NPN با ولتاژ 100 ولت و جریان 1.5 آمپر می باشد.
ترانزیستور یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می شود.
یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است
که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود.
در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود.
پکیج SOT-223 اورجینال IR
ماسفت IRFL110 SMD
ترانزیستور ها به دو دسته تقسیم می شوند:
- ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)
- ترانزیستور اثر میدانی (FET)
ترانزیستور های BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه لایه نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می شوند.
در این اتصالات لایه وسط را بیس و دو لایه کنار را امیتر و کلکتور می نامند.
نوع نیمه هادی به کار برده شده در لایه بیس با نوع نیمه هادی های به کار برده شده در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت است.
همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می باشد
و عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و عرض لایه کلکتور بیشتر از سایر لایه ها می باشد.
در ترانزیستور دو قطبی لایه امیتر از دو لایه بیس و کلکتور ناخالصی بیشتری دارد که باعث می شود
الکترون‌ها از امیتر به سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری نسبت به دو لایه دیگر دارد حرکت داده شوند.
ماسفت IRFL110 SMD
ترانزیستور های BJT به دو دسته تقسیم می شوند:
ترانزیستور اثر میدانی یا FET نیز از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می شوند
با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود از دو لایه دیگر مجزا می باشد
بدین معنی که به صورت ایزوله ساخته شده است و از طریق ایجاد میدان با لایه های دیگر ارتباط برقرار می کند
که این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت نیز گردیده است.
ترانزیستور های FET به دو دسته تقسیم می شوند:
- نوع n یا N-Type
- نوع p یا P-Type
نوعی دیگر از تراتزیستور ها به نام MOSFET وجود دارد که از خانواده ترانزیستور های اثر میدانی می باشند
با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است.
به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته می شود.
ترانزیستور های MOSFET بسته به کانالی که در آنها شکل می گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند.
از ویژگی این ترانزیستور ها می توان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود.
ماسفت IRFL110 SMD
60V, 1 A PNP medium power transistors
SOT-223
Transistor Type:Bipolar
Transistor Polarity:PNP
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:60V
Current Ic Continuous a Max:1A
Voltage, Vce Sat Max:0.5V
Power Dissipation:1.5W
Min Hfe:100;Max Hfe:250, ft, Typ:130MHz
محصول مرتبط با ماسفت IRFL110 SMD
ترانزیستور S8050 DIP
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.