توضیحات

ماسفت IRF1407

ماسفت 40 ولت 202 آمپر از نوع منفی (NPN)

آستانه تحمل ولتاژ 40 ولت

و آستانه جریان 202 آمپر

این محصول با دو برند IR , INFINEON به فروش میرسد که هر دو اورجینال میباشند

در دمای 25 درجه سانتی گراد

ماسفت IRF1407 ساخت IR

 مورد استفاده در انواع :

• • تغذیه سوئیچینگ ها
  • یو پی اس ها UPS
  • مبدل های DC به DC
  • اینورترهای مبدل 12 به 220 ولت ac

ماسفت IRF1407 ساخت IR

توضیح مختصری از ترانزیستور های ماسفِت

ماسفِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌ رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET)

معروف‌ ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است.

اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.

دلیل این نام‌ گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور.  یک لایه ی اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایه ی گِیت قرار گرفته است.

این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد.

در آن هنگام، ساخت و به‌ کارگیری این ترانزیستورها. به سبب نبود علم و ابزار و امکان. با دشواری همراه بود و از همین روی،

برای پنج دهه فراموش شدند. و از میدانِ پیشرفت‌ های الکترونیک بر کنار ماندند.

در آغازِ دهه ی ۷۰، بار دیگر نگاه‌ ها به ماسفِت‌ ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌ های گِیت (ABAS GSM)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌ گیرند.

در این ترانزیستور، گیت (پایه ی کنترلی)، جریانی نمی‌ کشد، و چنانکه از نام ترانزیستور پیداست،

تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌ شود.

از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌ شود. هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌ گذارد.

و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.

عمده تفاوت ماسفِت با ترانزیستور JFET در این است که :

گیت ترانزیستور های ماسفِت توسط لایه‌ ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌ است.

به این دلیل به ماسفِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌ شود.

مدارهای مجتمع بر پایه ی فناوری ماسفت را می‌ توان بسیار ریزتر و ساده‌ تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستور های دوقطبی ساخت.

بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌ های پیچیده و مقیاس‌ های بزرگ) نیازی به مقاومت. دیود یا دیگر قطعه‌ های الکترونیکی داشته باشند.

همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ ها را آسان می‌ کند، چندان که :

هم‌ اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایه ی فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستور های MOS، بسته به کانالی که در آن‌ ها شکل می‌ گیرد، N channel یا P channel نامیده می‌ شوند.

در آغازِ کار، P channel ترانزیستورِ پر کاربرد تر در فناوری MOS بود.

اما از آن جا که ساختنِ N channel آسان‌ تر است و مساحتِ کم‌ تری هم می‌ گیرد، از P channel پیشی گرفت.

ماسفت IRF1407 ساخت IR

محصول مرتبط با ماسفت IRF1407

ماسفت 3205