شناسه محصول: MTELMO220698

ماسفت IRF1407

ویژگی‌ها
نام قطعه: ماسفت IRF1407
برند: IR
پکیج: TO-220
تعداد پین: 3
نوع کانال: N-CHANNEL
دمای کاری: 175+~55-
نوع مونتاژ: DIP

ماسفت IRF1407

نوع ترانزیستور :N-Channel

حداکثر Vds (ولت) :75

حداکثر Id (آمپر) :130

حداکثر توان مصرفی ( وات ) :330

حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :4

rdsON به (اهم) :0.0078

این محصول با دو برند IR , INFINEON به فروش میرسد که هر دو اورجینال میباشند

دانلود ديتاشيت :IRF1407

نوع فايل : PDF      حجم : 370 کیلوبایت

pdf-mytronic
ارسال سریع
به تمام نقاط ایران
free-shipping
فروشنده
فروشگاه مایترونیک
shieldقطعات اورجینال
ضمانت اصالت کالا

453 عدد در انبار

ارسال توسط فروشگاه اینترنتی مایترونیک
50,350 تومان

453 عدد در انبار

- +

توضیحات

ماسفت IRF1407

 

irf1407 04

 

مشخصات اصلی ترانزیستور

  • نوع ترانزیستور :N-Channel
  • حداکثر Vds (ولت) :75
  • حداکثر Id (آمپر) :130
  • حداکثر توان مصرفی ( وات ) :330
  • حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :4
  • rdsON به (اهم) :0.0078
  • حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :11
  • حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :150
  • حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :150
  • حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :140

سایر مشخصات محصول

  • حداقل (Vgs(th به ( ولت ) :2
  • حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs) :20
  • حداکثر جریان درین ( Id ) :130
عنوان مقدار
پکیج TO-220AB
وزن ترانزیستور ۲/۷۲ گرم
نوع ترانزیستور N-Channel
حداکثر ولتاژ درین-سورس 75 V
حداکثر جریان درین 130 A
حداکثر ولتاژ گیت-سورس 20 V
حداکثر توان اتلافی در Tc=25ᵒC 330 W
تعداد پایه 3
محدوده دمای کاری -55~175 °C
پارت نامبر IRF1407
زمان صعود 150 ns
زمان نزول 140 ns
طول 10.54 mm
عرض 4.69 mm
ارتفاع 15.24 mm
نوع صنعتی

 

ماسفت IRF1407 اورجینال

در ادامه به توضیحات و مشخصات ماسفت IRF1407 می پردازیم.

irf1407 05

ترانزیستور چیست؟

ترانزیستور مهم ترین قطعه مدار در الکترونیک است و برای قطع و وصل سیگنال ها یا تقویت آنها استفاده می شود.

ترانزیستور از مواد نیمه رسانایی مانند سیلییسیوم و ژرمانیوم ساخته می شود.

بطور خلاصه ترانزیستور (Transistor) قلب تپنده هر نوع قطعات الکترونیکی است.

ترانزیستور در تمام بردهای الکترونیکی امروزه مورد استفاده قرار گرفته است.

هرچه اندازه تولیدی ترانزیستور کوچک تر باشد تکنولوژی ساخت آن بالاتر است.

ترانزیستور هم در مدارات آنالوگ و هم در مدارات دیجیتال استفاده می شود.

در این نوع مدار ها میتوان از ترانزیستور ها به عنوان تقویت کننده یا تثبیت کننده اسفاده کرد.

که تقویت کننده (اَمپ) و تثبیت کننده (رگولاتور) است.

ترانزیستور در مدارات دیجیتال در دو منطقه قطع و اشباع فعالیت می کند.

که در این حالت می توان از ترانزیستور در پیاده سازی مدار منطقی ، حافظه و سوئیچ استفاده کرد.

ترانزیستور در اصل ترکیب اختصاری از کلمات “Transfer” و “Resistor” است.

 

انواع ترانزیستورها

بطور کلی ترانزیستورها به دو دسته زیر تقسیم می شوند.

  • ترانزیستورهای دو قطبی (BJT)
  • ترانزیستورهای اثر میدانی (FET)

BJT : Bipolar Junction Transistor

FET : Field Effect Transistor

(در ادامه ترانزیستورهای اثر میدانی را بررسی می کنیم.)

 

ترانزیستور های BJT یا دوقطبی 3 پایه دارد .

  • Base       (پایه)
  • Collector (جمع کننده)
  • Emitter  (منتشر کننده)

ترانزیستورهای BJT از اتصال 3 لایه بلور نیمه هادی (نیمه رسانا) تشکیل شده اند.

لایه وسطی (Base) و دو لایه دیگر (Collector) و (Emitter) .

نوع و جنس بلورِ (کریستال) Base با Emitter  و Collector متفاوت است.

میزان ناخالصی در لایه  Emitter بیشتر از دو لایه دیگر است.

همچنین ضخامتِ بلور لایه Base کمتر از دولایه دیگر است.

ناگفته نماند که ضخامت لایه Collector از لایه های دیگر بیشتر است.

در ترانزیستورهای BJT با اعمال جریان از پایه Base جریان عبوری از دو پایه دیگر کنترل می شود.

ترانزیستورها در دو نوع NPN و PNP ساخته می شوند.

PNP : شامل 3 لایه نیمه هادی ست که دو لایه کناری از نوع P (Positive) و لایه میانی از نوع N (Negative) است.

NPN : شامل 3 لایه نیمه هادی که دو لایه کناری از نوع N (Negative) و لایه میانی از نوع P (Positive) است.

در ترانزیستورهای  ‌BJT ممکن است در ناحیه قطع فعال یا اشباع کار کنند که بستگی به نوع طراحی و حالت BIOS آن دارد.

 

انواع ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) :

FET : Field Effect Transistor

ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)

ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادیِ اکسید-فلز (MOSFET)

JFET : Junction gate Field Effect Transistor

MOSFET : Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

ترانزیستورهای JFET از 3 پایه با نام های Drain و Gate و Source تشکیل شده است.

در ترانزیستورهای JFET جریان بین پایه های Source و Drain با کنترل مقاومت ناحیه کانال کنترل می شود.

ترانزیستورهای JFET ساده ترین نوع ترانزیستور اثر میدان (FET) می باشد.

از این نوع ترانزیستورها می توان به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی تحت کنترل یا یک مقاومت کنترل شده (به وسیله ولتاژ) استفاده کرد.

NPN
NPN

 

PNP
PNP

 

ترانزیستورهای FET دارای دو نوع N Channel و P Channel هستند.

در N Channel زمانی که Gate نسبت به Source مثبت باشد جریان از Drain به Source عبور می کند.

ترانزیستورهای FET بسیار حساس هستند و با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می شوند.

به همین دلیل نویز پذیری بالایی دارند!

ترانزیستورهای FET در ساخت فرستنده FM رادیو نیز کاربرد فراولنی دارد.

 

ترانزیستورهای ماسفت (MOSFET) :

ماس‌فِت شامل پایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود
ماسفت شامل پایانه‌های Gate ، Drain ، Source و بدنه (Boddy).

MOSFET : Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

ترانزیستور MOSFET عمده تفاوتی که با JFET دارد این است که.

پایه Gate ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه ای از جنس اکسید سیلیسیوم از کانال مجزا شده است.

به همین دلیل به ماسفت ها FET با GATE مجزا می گویند.

(Insulated Gate FET)

ماسفت IRF1407 هم از همین دسته است.

ترانزیستورهای ماسفت بسته به کانالی که تولید می شود (N Channel) یا (P Channel) نامیده می شوند.

در آغاز کار P Channel پرکاربردتر بود.

اما از آنجا که ساختن N Channel ها آسان تر استت و همچنین مساحت کمتری را اشغال می کند از P Channel پیشی گرفت

امروزه از ماسفت های N Channel در بردهای تغذیه و سوئیچینگ بیشتر استفاده می شود.

 

ساختار ترانزیستورهای پیوندی :

ترانزیستور دو پیوند دارد.

یکی بین Emitter و Base و دیگری بین Base و Collector .

به همین دلیل ترانزیستور شبیه دوید است.

دیود سمت چپ (Base Diode) .  Emitter و دیود سمت راست (Collector-Base Diode) یا همان (Collector Diode) است.

میزان ناخالصی ناحیه وسط به مرتب کمتر از دو ناحیه کناری است.

این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و در نتیجه زیاد شدن مقاومت ناحیه می گردد.

 

دلایل سوختن ترانزیستور ها :

یکی از رایج ترین دلیل سوختن ترانزیستورها می توان به اعمال ولتاژ بالای خارج از محدوده حمایتی ترانزیستور باشد.

اگرچه دلایل و عوامل زیادی باعث سوختن ترانزیستور ها می شود مانند:

بالا رفتن دمای آنها که نتیجه خنک نشدن ترانزیستور می باشد. (نصب نکردن هیت سینک)

اتصال کردن لحظه ای بین پایه های ترانزیستور.

عایق نبودن بدنه برخی ترانزیستورها.

شوک وارد شدن به ترانزیستور.

سوئیچ متوالی و با سرعت بالا.

و …

ویکی پدیا

ماسفت IRF1407 اورجینال

ترانزیستور IRF1407 (ماسفت IRF1407) از نوع منفی (NPN) و دارای آستانه تحمل ولتاژ 75 ولت و جریان 130 آمپر  در 25 درجه و 92 آمپر در 100 درجه می باشد.

irf1407 03

ماسفت IRF1407 ساخت IR

 مورد استفاده در انواع :

    • تغذیه سوئیچینگ ها
    • یو پی اس ها UPS
    • مبدل های DC به DC
    • اینورترهای مبدل 12 به 220 ولت ac

 

irf1407 01

ماسفت IRF1407 ساخت IR

 

 

irf1407 02

ماسفت IRF1407 ساخت IR

 

محصول مرتبط با ماسفت IRF1407

ماسفت IRF3205/3205

ویژگی های محصول

نام قطعه

ماسفت IRF1407

برند

IR

پکیج

TO-220

تعداد پین

3

نوع کانال

N-CHANNEL

دمای کاری

175+~55-

نوع مونتاژ

DIP

نقد و بررسی‌ها

درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

ماسفت IRF1407
ماسفت IRF1407
فروشگاه مایترونیک

453 عدد در انبار

50,350 تومان
- +
سوالات متداول

در زیر می‌توانید پاسخ سوالات خود را بیابید. در غیر این صورت از ما بپرسید، ما همیشه به سوالات شما پاسخ خواهیم داد. (جهت ویرایش این قسمت به پیکربندی پوسته > تب متفرقه > سوالات متداول مراجعه نمایید.)

دریافت اپلیکیشن