نوع ترانزیستور :N-Channel
حداکثر Vds (ولت) :75
حداکثر Id (آمپر) :130
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :330
حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :4
rdsON به (اهم) :0.0078
این محصول با دو برند IR , INFINEON به فروش میرسد که هر دو اورجینال میباشند
نوع فايل : PDF حجم : 370 کیلوبایت
443 در انبار
443 در انبار
عناوین محتوا
Toggle
عنوان | مقدار |
---|---|
پکیج | TO-220AB |
وزن ترانزیستور | ۲/۷۲ گرم |
نوع ترانزیستور | N-Channel |
حداکثر ولتاژ درین-سورس | 75 V |
حداکثر جریان درین | 130 A |
حداکثر ولتاژ گیت-سورس | 20 V |
حداکثر توان اتلافی در Tc=25ᵒC | 330 W |
تعداد پایه | 3 |
محدوده دمای کاری | -55~175 °C |
پارت نامبر | IRF1407 |
زمان صعود | 150 ns |
زمان نزول | 140 ns |
طول | 10.54 mm |
عرض | 4.69 mm |
ارتفاع | 15.24 mm |
نوع | صنعتی |
در ادامه به توضیحات و مشخصات ماسفت IRF1407 می پردازیم.
ترانزیستور مهم ترین قطعه مدار در الکترونیک است و برای قطع و وصل سیگنال ها یا تقویت آنها استفاده می شود.
ترانزیستور از مواد نیمه رسانایی مانند سیلییسیوم و ژرمانیوم ساخته می شود.
بطور خلاصه ترانزیستور (Transistor) قلب تپنده هر نوع قطعات الکترونیکی است.
ترانزیستور در تمام بردهای الکترونیکی امروزه مورد استفاده قرار گرفته است.
هرچه اندازه تولیدی ترانزیستور کوچک تر باشد تکنولوژی ساخت آن بالاتر است.
ترانزیستور هم در مدارات آنالوگ و هم در مدارات دیجیتال استفاده می شود.
در این نوع مدار ها میتوان از ترانزیستور ها به عنوان تقویت کننده یا تثبیت کننده اسفاده کرد.
ترانزیستور در مدارات دیجیتال در دو منطقه قطع و اشباع فعالیت می کند.
که در این حالت می توان از ترانزیستور در پیاده سازی مدار منطقی ، حافظه و سوئیچ استفاده کرد.
ترانزیستور در اصل ترکیب اختصاری از کلمات “Transfer” و “Resistor” است.
بطور کلی ترانزیستورها به دو دسته زیر تقسیم می شوند.
BJT : Bipolar Junction Transistor
FET : Field Effect Transistor
(در ادامه ترانزیستورهای اثر میدانی را بررسی می کنیم.)
ترانزیستورهای BJT از اتصال 3 لایه بلور نیمه هادی (نیمه رسانا) تشکیل شده اند.
لایه وسطی (Base) و دو لایه دیگر (Collector) و (Emitter) .
نوع و جنس بلورِ (کریستال) Base با Emitter و Collector متفاوت است.
میزان ناخالصی در لایه Emitter بیشتر از دو لایه دیگر است.
همچنین ضخامتِ بلور لایه Base کمتر از دولایه دیگر است.
ناگفته نماند که ضخامت لایه Collector از لایه های دیگر بیشتر است.
در ترانزیستورهای BJT با اعمال جریان از پایه Base جریان عبوری از دو پایه دیگر کنترل می شود.
PNP : شامل 3 لایه نیمه هادی ست که دو لایه کناری از نوع P (Positive) و لایه میانی از نوع N (Negative) است.
NPN : شامل 3 لایه نیمه هادی که دو لایه کناری از نوع N (Negative) و لایه میانی از نوع P (Positive) است.
در ترانزیستورهای BJT ممکن است در ناحیه قطع فعال یا اشباع کار کنند که بستگی به نوع طراحی و حالت BIOS آن دارد.
FET : Field Effect Transistor
ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)
ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادیِ اکسید-فلز (MOSFET)
JFET : Junction gate Field Effect Transistor
ترانزیستورهای JFET از 3 پایه با نام های Drain و Gate و Source تشکیل شده است.
در ترانزیستورهای JFET جریان بین پایه های Source و Drain با کنترل مقاومت ناحیه کانال کنترل می شود.
ترانزیستورهای JFET ساده ترین نوع ترانزیستور اثر میدان (FET) می باشد.
از این نوع ترانزیستورها می توان به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی تحت کنترل یا یک مقاومت کنترل شده (به وسیله ولتاژ) استفاده کرد.
در N Channel زمانی که Gate نسبت به Source مثبت باشد جریان از Drain به Source عبور می کند.
ترانزیستورهای FET بسیار حساس هستند و با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می شوند.
به همین دلیل نویز پذیری بالایی دارند!
ترانزیستورهای FET در ساخت فرستنده FM رادیو نیز کاربرد فراولنی دارد.
MOSFET : Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
ترانزیستور MOSFET عمده تفاوتی که با JFET دارد این است که.
پایه Gate ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه ای از جنس اکسید سیلیسیوم از کانال مجزا شده است.
به همین دلیل به ماسفت ها FET با GATE مجزا می گویند.
(Insulated Gate FET)
ترانزیستورهای ماسفت بسته به کانالی که تولید می شود (N Channel) یا (P Channel) نامیده می شوند.
در آغاز کار P Channel پرکاربردتر بود.
اما از آنجا که ساختن N Channel ها آسان تر استت و همچنین مساحت کمتری را اشغال می کند از P Channel پیشی گرفت
امروزه از ماسفت های N Channel در بردهای تغذیه و سوئیچینگ بیشتر استفاده می شود.
ترانزیستور دو پیوند دارد.
یکی بین Emitter و Base و دیگری بین Base و Collector .
به همین دلیل ترانزیستور شبیه دوید است.
دیود سمت چپ (Base Diode) . Emitter و دیود سمت راست (Collector-Base Diode) یا همان (Collector Diode) است.
میزان ناخالصی ناحیه وسط به مرتب کمتر از دو ناحیه کناری است.
این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و در نتیجه زیاد شدن مقاومت ناحیه می گردد.
یکی از رایج ترین دلیل سوختن ترانزیستورها می توان به اعمال ولتاژ بالای خارج از محدوده حمایتی ترانزیستور باشد.
اگرچه دلایل و عوامل زیادی باعث سوختن ترانزیستور ها می شود مانند:
بالا رفتن دمای آنها که نتیجه خنک نشدن ترانزیستور می باشد. (نصب نکردن هیت سینک)
اتصال کردن لحظه ای بین پایه های ترانزیستور.
عایق نبودن بدنه برخی ترانزیستورها.
شوک وارد شدن به ترانزیستور.
سوئیچ متوالی و با سرعت بالا.
و …
ترانزیستور IRF1407 (ماسفت IRF1407) از نوع منفی (NPN) و دارای آستانه تحمل ولتاژ 75 ولت و جریان 130 آمپر در 25 درجه و 92 آمپر در 100 درجه می باشد.
ماسفت IRF1407 ساخت IR
ماسفت IRF1407 ساخت IR
ماسفت IRF1407 ساخت IR
محصول مرتبط با ماسفت IRF1407
نام قطعه | ماسفت IRF1407 |
---|---|
برند | IR |
پکیج | TO-220 |
تعداد پین | 3 |
نوع کانال | N-CHANNEL |
دمای کاری | 175+~55- |
نوع مونتاژ | DIP |
درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.
443 در انبار
در زیر میتوانید پاسخ سوالات خود را بیابید. در غیر این صورت از ما بپرسید، ما همیشه به سوالات شما پاسخ خواهیم داد. (جهت ویرایش این قسمت به پیکربندی پوسته > تب متفرقه > سوالات متداول مراجعه نمایید.)
ماسفت IRF1407
تامین بهموقع
تعهد ارسال
بدون مرجوعی
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.