شناسه محصول: MTELMO230873

ماسفت FMH9N90E

ویژگی‌ها
نام قطعه: ماسفت FQA9N90C/9N90C
برند: Fuji
تعداد پین: 3
نوع مونتاژ: DIP
جریان کاری: 9 آمپر
ولتاژ کاری: 900 ولت

ماسفت FMH9N90E

900 ولت 9 آمپر اورجینال فوجی

مقاومت درین سورس در حالت روشن 1/4 اهم

 

دانلود ديتاشيت : ماسفت FMH9N90E

نوع فايل : PDF      حجم : 1/9 مگابایت

pdf-mytronic
ارسال سریع
به تمام نقاط ایران
free-shipping
فروشنده
فروشگاه مایترونیک
shieldقطعات اورجینال
ضمانت اصالت کالا

177 عدد در انبار

ارسال توسط فروشگاه اینترنتی مایترونیک
76,240 تومان

177 عدد در انبار

- +

توضیحات

ماسفت FMH9N90E

اورجینال فوجی پکیج TO-3P

مقاومت درین سورس در حالت روشن شدن 1.4 اهم

مورد استفاده در انواع :

تغذیه سوئیچینگ های تک فاز و سه فاز

اینوزترهای جوشکاری دوفاز و سه فاز

 

 

900 ولت 9 آمپر اورجینال فوجی

 

توضیح مختصری از ترانزیستور های ماسفِت

ماسفِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌ رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET)

معروف‌ ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است.

اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.

دلیل این نام‌ گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور.  یک لایه ی اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایه ی گِیت قرار گرفته است.

این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد.

در آن هنگام، ساخت و به‌ کارگیری این ترانزیستورها. به سبب نبود علم و ابزار و امکان. با دشواری همراه بود و از همین روی،

برای پنج دهه فراموش شدند. و از میدانِ پیشرفت‌ های الکترونیک بر کنار ماندند.

در آغازِ دهه ی ۷۰، بار دیگر نگاه‌ ها به ماسفِت‌ ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌ های گِیت (ABAS GSM)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌ گیرند.

در این ترانزیستور، گیت (پایه ی کنترلی)، جریانی نمی‌ کشد، و چنانکه از نام ترانزیستور پیداست،

تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌ شود.

از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌ شود. هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌ گذارد.

و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.

عمده تفاوت ماسفِت با ترانزیستور JFET در این است که :

گیت ترانزیستور های ماسفِت توسط لایه‌ ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌ است.

به این دلیل به ماسفِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌ شود.

مدارهای مجتمع بر پایه ی فناوری ماسفت را می‌ توان بسیار ریزتر و ساده‌ تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستور های دوقطبی ساخت.

بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌ های پیچیده و مقیاس‌ های بزرگ) نیازی به مقاومت. دیود یا دیگر قطعه‌ های الکترونیکی داشته باشند.

همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ ها را آسان می‌ کند، چندان که :

هم‌ اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایه ی فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستور های MOS، بسته به کانالی که در آن‌ ها شکل می‌ گیرد، N channel یا P channel نامیده می‌ شوند.

در آغازِ کار، P channel ترانزیستورِ پر کاربرد تر در فناوری MOS بود.

اما از آن جا که ساختنِ N channel آسان‌ تر است و مساحتِ کم‌ تری هم می‌ گیرد، از P channel پیشی گرفت.

 

ماسفت FMH9N90E

 

 

محصول مرتبط با ماسفت FMH9N90E

ماسفت FMH11N90E/11N90E

 

ویژگی های محصول

نام قطعه

ماسفت FQA9N90C/9N90C

برند

Fuji

تعداد پین

3

نوع مونتاژ

DIP

جریان کاری

9 آمپر

ولتاژ کاری

900 ولت

نقد و بررسی‌ها

درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

مكان گيرنده
ماسفت FMH9N90E
فروشگاه مایترونیک

177 عدد در انبار

76,240 تومان
- +
سوالات متداول

در زیر می‌توانید پاسخ سوالات خود را بیابید. در غیر این صورت از ما بپرسید، ما همیشه به سوالات شما پاسخ خواهیم داد. (جهت ویرایش این قسمت به پیکربندی پوسته > تب متفرقه > سوالات متداول مراجعه نمایید.)

دریافت اپلیکیشن