توضیحات

ترانزیستور ztx651

Vcbo : 80V / Ic: 2A / 1W / 175MHz

مورد استقاده در درایو igbt اینورترهای جوشکاری گام الکتریک (جوشا) el251

ترانزیستور ztx651 جایگزین xtx649

ترانزیستور یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌ شود.

یک  ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود.

در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود.

ترانزیستور ها به دو دسته تقسیم می شوند:

• ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)
• ترانزیستور اثر میدانی (FET)

ترانزیستور های BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه لایه نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می‌ شوند.

در این اتصالات لایه وسط را بیس و دو لایه کنار را امیتر و کلکتور می نامند.

نوع نیمه هادی به کار برده شده در لایه بیس با نوع نیمه هادی های به کار برده شده در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت است.

همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می باشد و عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و عرض لایه کلکتور بیشتر از سایر لایه‌ ها می باشد.

در ترانزیستور دو قطبی لایه امیتر  از دو لایه بیس و کلکتور ناخالصی بیشتری دارد که باعث می شود

الکترون‌ها از امیتر به ‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری نسبت به دو لایه دیگر دارد حرکت داده ‌شوند.

ترانزیستور های BJT به دو دسته تقسیم می شوند:

• NPN
• PNP

ترانزیستور اثر میدانی یا FET نیز از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌ شوند

با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود از دو لایه دیگر مجزا می باشد

بدین معنی که به صورت ایزوله ساخته شده است و از طریق ایجاد میدان با لایه های دیگر ارتباط برقرار می کند

که این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت نیز گردیده است.

ترانزیستور های FET به دو دسته تقسیم می شوند:

• نوع n یا N-Type
• نوع p یا P-Type

نوعی دیگر از تراتزیستور ها به نام MOSFET وجود دارد که از خانواده ترانزیستور های اثر میدانی می باشند

با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایه‌ ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است.

به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته می شود.

ترانزیستور های  MOSFET بسته به کانالی که در آنها شکل می‌ گیرد، NMOS  یا PMOS نامیده می‌شوند.

از ویژگی این ترانزیستور ها می توان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود.

ترانزیستور ztx651

محصولات مرتبط با ترانزیستور ztx651

ترانزیستور ztx649