ترانزیستور ztx651NPN Silicon Planar Medium Power Transistors

برند X شناسه محصول: MTELTR210303 دسته: , ,

ترانزیستور ztx651

NPN Silicon Planar Medium Power Transistors

Vcbo : 80V / Ic: 2A / 1W / 175MHz

آخرین بروزرسانی : ۲۶ تیر ۱۴۰۰

8,000 تومان

20 در انبار

آماده ارسال
مقایسه

آیا قیمت مناسب‌تری سراغ دارید؟
بلیخیر
نقد و بررسی اجمالیNPN Silicon Planar Medium Power Transistors

ترانزیستور ztx651

NPN Silicon Planar Medium Power Transistors

Vcbo : 80V / Ic: 2A / 1W / 175MHz

ترانزیستور ztx651

جایگزین xtx649

مورد استقاده در درایو igbt های اینورترهای جوشکاری گام الکتریک(جوشا)  el251

 

ترانزیستور یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌ شود.

یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود.

در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود.

ترانزیستور ها به دو دسته تقسیم می شوند:

  • ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)
  • ترانزیستور اثر میدانی (FET)

ترانزیستور های BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه لایه نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می‌ شوند.

در این اتصالات لایه وسط را بیس و دو لایه کنار را امیتر و کلکتور می نامند.

نوع نیمه هادی به کار برده شده در لایه بیس با نوع نیمه هادی های به کار برده شده در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت است.

همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می باشد و عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و عرض لایه کلکتور بیشتر از سایر لایه‌ ها می باشد.

در ترانزیستور دو قطبی لایه امیتر  از دو لایه بیس و کلکتور ناخالصی بیشتری دارد که باعث می شود

الکترون‌ها از امیتر به ‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری نسبت به دو لایه دیگر دارد حرکت داده ‌شوند.

ترانزیستور های BJT به دو دسته تقسیم می شوند:

  • NPN
  • PNP

ترانزیستور اثر میدانی یا FET نیز از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌ شوند

با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود از دو لایه دیگر مجزا می باشد

بدین معنی که به صورت ایزوله ساخته شده است و از طریق ایجاد میدان با لایه های دیگر ارتباط برقرار می کند که این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت نیز گردیده است.

ترانزیستور های FET به دو دسته تقسیم می شوند:

  • نوع n یا N-Type
  • نوع p یا P-Type

نوعی دیگر از تراتزیستور ها به نام MOSFET وجود دارد که از خانواده ترانزیستور های اثر میدانی می باشند

با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایه‌ ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است.

به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته می شود.

ترانزیستور های  MOSFET بسته به کانالی که در آنها شکل می‌ گیرد، NMOS  یا PMOS نامیده می‌شوند.

از ویژگی این ترانزیستور ها می توان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود.

ترانزیستور ztx651

 

 

محصولات مرتبط با ترانزیستور ztx651

ترانزیستور ztx649

ترانزیستور S8050 DIP

برچسب:
مشخصات کلیNPN Silicon Planar Medium Power Transistors
مشخصات عمومی
نام قطعه

ترانزیستور ztx651

برند

X

تعداد پین

3

مشخصات فنی
پکیج

TO-92

نوع مونتاژ

DIP

نظرات کاربرانNPN Silicon Planar Medium Power Transistors

لطفا پیش از ارسال نظر، خلاصه قوانین زیر را مطالعه کنید: فارسی بنویسید و از کیبورد فارسی استفاده کنید. بهتر است از فضای خالی (Space) بیش‌از‌حدِ معمول، شکلک یا ایموجی استفاده نکنید و از کشیدن حروف یا کلمات با صفحه‌کلید بپرهیزید. نظرات خود را براساس تجربه و استفاده‌ی عملی و با دقت به نکات فنی ارسال کنید؛ بدون تعصب به محصول خاص، مزایا و معایب را بازگو کنید و بهتر است از ارسال نظرات چندکلمه‌‌ای خودداری کنید. بهتر است در نظرات خود از تمرکز روی عناصر متغیر مثل قیمت، پرهیز کنید. به کاربران و سایر اشخاص احترام بگذارید. پیام‌هایی که شامل محتوای توهین‌آمیز و کلمات نامناسب باشند، حذف می‌شوند.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “ترانزیستور ztx651”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

پرسش و پاسخNPN Silicon Planar Medium Power Transistors

    برای ثبت پرسش، لازم است ابتدا وارد حساب کاربری خود شوید

    نقد و بررسیNPN Silicon Planar Medium Power Transistors
    نقاط قوت
    نقاط ضعف