آی جی بی تی K50T60/IKW50N60T
آی جی بی تی الترا فست 50 آمپر 600 ولت
50A / 600 V / Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP
and Fieldstop technology with soft
fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
K50T60/IKW50N60T IGBT اینفنیون
آی جی بی تی K50T60 دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
آی جی بی تی K50T60 مورد استفاده در انواع :
پو پی اس ها UPS
اینورترهای جوشکاری
تغذیه سوئیچینگ ها
معرفی آی جی بی تی IGBT
وقتی از ترانزیستور های BJT در فرکانسهای بالای کلید زنی جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده شود،
با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کنند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می کنند.
به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از اِلمان کم مصرف POWER MOSFET استفاده می شود، اما با بالا رفتن قدرت تلفات آن نیز زیاد می شود.
اِلمان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲ قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.
این قطعه جدید IGBT نام دارد. در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT که کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده
و در درجه اول به عنوان یک سوییچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.
این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله
خودروهای برقی، قطار، اینورترهای جوش و برش، UPS، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده ها استفاده می شود.
محصول مرتبط با آی جی بی تی K50T60
: Features
Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)
Maximum Junction Temperature 175°C
Short circuit withstand time 5s
: Designed for
Frequency Converters
Uninterruptible Power Supply
: TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers
very tight parameter distribution
high ruggedness, temperature stable behavior
very high switching speed
low VCE(sat)
Positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Low Gate Charge
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Qualified according to JEDEC1 for target
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.