توضیحات
آی جی بی تی K30H603/IKW30N60H3
آی جی بی تی اُلترا فست 30 آمپر 600 ولت اورجینال
آی جی بی تی K30H60/IKW30N60H3 ساخت INFINEON
30A / 600 V / Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOP
and Field stop technology with soft
fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Very soft, fast recovery anti-parallel diode
آی جی بی تی K30H603/IKW30N60H3
مورد استفاده در انواع :
-
- یو پی اس ها UPS
- اینورتر های جوشکاری
- تغذیه سوئیچینگ ها
آی جی بی تی K30H603/IKW30N60H3
معرفی آی جی بی تی IGBT
وقتی از ترانزیستور های BJT در فرکانسهای بالای کلید زنی جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده شود،
با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کنند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می کنند.
به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از اِلمان کم مصرف POWER MOSFET استفاده می شود، اما با بالا رفتن قدرت تلفات آن نیز زیاد می شود.
اِلمان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲ قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.
این قطعه جدید IGBT نام دارد. در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT که کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده
و در درجه اول به عنوان یک سوییچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.
این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله
خودروهای برقی، قطار، اینورترهای جوش و برش، UPS، یخچال ها، تردمیل،
دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده ها استفاده می شود.
آی جی بی تی K30H603/IKW30N60H3
: Features
very low VCEsat
low EMI
Very soft, fast recovery anti-parallel diode
maximum junction temperature 175°C
qualified according to JEDEC for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
complete product spectrum and PSpice Models
http://www.infineon.com/igbt
: Designed for
uninterruptible power supplies
welding converters
converters with high switching frequency
: TRENCHSTOP™ and Field stop technology for 600V applications offers
very tight parameter distribution
high ruggedness, temperature stable behavior
very high switching speed
low VCE(sat)
Positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Low Gate Charge
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Qualified according to JEDEC1 for target
محصول مرتبط با آی جی بی تی K30H603/IKW30N60H3
آی جی بی تی K30T60/IKW30N60T
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.