56A / 650 V / High speed IGBT in Trench
آی جی بی تی فست 56 آمپر 650 ولت
K50EF5 IGBT ساخت INFINEON اورجینال
نوع فايل : PDF حجم : 2 مگابایت
8 عدد در انبار
8 عدد در انبار
56A / 650 V / High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology
آی جی بی تی الترا فست 56 آمپر 650 ولت
K50EF5 IGBT ساخت INFINEON اورجینال
دیود هرزگرد27 آمپر فرکانس بالا
آی جی بی تی IKW50N65F5/K50EF5
وقتی از ترانزیستور های BJT در فرکانسهای بالای کلید زنی جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده شود،
با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کنند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می کنند.
به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از اِلمان کم مصرف POWER MOSFET استفاده می شود، اما با بالا رفتن قدرت تلفات آن نیز زیاد می شود.
اِلمان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲ قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.
ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT که کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده
و در درجه اول به عنوان یک سوییچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.
خودروهای برقی، قطار، اینورترهای جوش و برش، UPS، یخچال ها، تردمیل،
دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده ها استفاده می شود.
محصول مرتبط با آی جی بی تی IKW50N65F5/K50EF5
نام قطعه | آی جی بی تی IKW50N65F5/K50EF5 |
---|---|
برند | Infineon |
پکیج | TO-247 |
تعداد پین | 3 |
نوع مونتاژ | DIP |
ولتاژ کاری | 650 ولت |
جریان کاری | 50 آمپر |
درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.
8 عدد در انبار
در زیر میتوانید پاسخ سوالات خود را بیابید. در غیر این صورت از ما بپرسید، ما همیشه به سوالات شما پاسخ خواهیم داد.
آی جی بی تی IKW50N65F5/K50EF5
تامین بهموقع
تعهد ارسال
بدون مرجوعی
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.