عناوین محتوا
آی جی بی تی H40T60/IHW40N60T
آی جی بی تی اُلترا فست 40 آمپر 600 ولت
اورجینال
آی جی بی تی H40T60/IHW40N60T ساخت INFINEON
قابل جایگزینی در دستگاه جوشا گام الکتریک مدل 251
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
Reverse conducting IGBT
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop®
technology with anti-parallel diode
مورد استفاده در انواع :
- یو پی اس ها UPS
- اینورتر های جوشکاری
- تغذیه سوئیچینگ ها
آی جی بی تی H40T60/IHW40N60T
معرفی آی جی بی تی IGBT
وقتی از ترانزیستور های BJT در فرکانسهای بالای کلید زنی جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده شود،
با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کنند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می کنند.
به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از اِلمان کم مصرف POWER MOSFET استفاده می شود، اما با بالا رفتن قدرت تلفات آن نیز زیاد می شود.
اِلمان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲ قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.
این قطعه جدید IGBT نام دارد. در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT که کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده
و در درجه اول به عنوان یک سوییچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.
این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله
خودروهای برقی، قطار، اینورترهای جوش و برش، UPS، یخچال ها، تردمیل،
دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده ها استفاده می شود.
: Features
Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)
Maximum Junction Temperature 175 °C
Short circuit withstand time – 5μs
TrenchStop® and Fieldstop technology for 600 V applications
: offers
very tight parameter distribution
high ruggedness, temperature stable behavior
low VCE(sat)
Positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Low Gate Charge
Qualified according to JEDEC1 for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
محصول مرتبط با آی جی بی تی H40T60/IHW40N60T
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.