توضیحات
آی جی بی تی GT50JR22/50JR22
ساخت توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد
TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon
N-Channel IGBT 600V / 50A / TO-3P
آی جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر
آی جی بی تی GT50JR22/50JR22
مورد استفاده در انواع :
-
- پو پی اس ها UPS
- اینورتر های خورشیدی
- اینورترهای جوشکاری
- تغذیه سوئیچینگ ها
معرفی آی جی بی تی IGBT
وقتی از ترانزیستور های BJT در فرکانسهای بالای کلید زنی جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده شود،
با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کنند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می کنند.
به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از اِلمان کم مصرف POWER MOSFET استفاده می شود، اما با بالا رفتن قدرت تلفات آن نیز زیاد می شود.
اِلمان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲ قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.
این قطعه جدید IGBT نام دارد.
در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT که کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده
و در درجه اول به عنوان یک سوییچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.
این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله
خودروهای برقی، قطار، اینورترهای جوش و برش، UPS، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع
و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده ها استفاده می شود.
محصولات مرتبط با آی جی بی تی GT50JR22/50JR22
آی جی بی تی G160N60UFD/SGL160N60UFD
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.