آی جی بی تی ماژول 1200 ولت 75 آمپر
ماژول SKM75GB128D سمیکرون اورجینال
SKM75GB128D IGBT Modules
نوع فايل : PDF حجم : 1000 کیلوبایت
ناموجود
ناموجود
آی جی بی تی ماژول 1200 ولت 75 آمپر سمیکرون اورجینال
1200V / 75A / IGBT Modules / SEMIKRON / Half Bridge
SPT IGBT Modules
SEMITRANS 2 (94x34x30)
آی جی بی تی ماژول SKM75GB128D
وقتی از ترانزیستور های BJT در فرکانسهای بالای کلید زنی جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده شود،
با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کنند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می کنند.
به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از اِلمان کم مصرف POWER MOSFET استفاده می شود، اما با بالا رفتن قدرت تلفات آن نیز زیاد می شود.
اِلمان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲ قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.
ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT که کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده
و در درجه اول به عنوان یک سوییچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.
این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله
خودروهای برقی، قطار، اینورترهای جوش و برش، UPS، یخچال ها، تردمیل،
دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده ها استفاده می شود.
محصول مرتبط با آی جی بی تی ماژول SKM75GB128D
آی جی بی تی ماژول SGM75HF12A1TFD
نام قطعه | آی جی بی تی ماژول SKM75GB128D |
---|---|
برند | SEMIKRON |
سری | IGBT Modules |
پکیج | MODULE |
تعداد پین | 7 |
جریان کاری | 75 آمپر |
ولتاژ کاری | 1200 ولت |
دمای کاری | 150+~40- |
نوع مونتاژ | DIP |
کشور سازنده | آلمان |
ابعاد | 30×34×94 میلی متر |
VCE | 1200V |
IC(25°C) | 100A |
IC(HIGH TEMP) | 75A |
VGE | ±20V |
VGE(th) | 4.5-5.5-6.5V |
VCE(sat) | 1.9-2.35V |
ICM-IC PULSE | 100A |
درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.
ناموجود
در زیر میتوانید پاسخ سوالات خود را بیابید. در غیر این صورت از ما بپرسید، ما همیشه به سوالات شما پاسخ خواهیم داد.
آی جی بی تی ماژول SKM75GB128D
تامین بهموقع
تعهد ارسال
بدون مرجوعی
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.