IGBT ماژول 1200 ولت 100 آمپر اینفینیون اورجینال
نوع فايل : PDF حجم : 700 کیلوبایت
5 در انبار
5 در انبار
عناوین محتوا
Toggleآی جی بی تی ماژول 1200 ولت 100 آمپر اینفینیون اورجینال
1200V / 100A / IGBT Modules / infineon / Half Bridge
آی جی بی تی ماژول FF100R12KS4
وقتی از ترانزیستور های BJT در فرکانسهای بالای کلید زنی جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده شود،
با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کنند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می کنند.
به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از اِلمان کم مصرف POWER MOSFET استفاده می شود،
اِلمان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲ قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.
این قطعه جدید IGBT نام دارد. در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT که کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده
و در درجه اول به عنوان یک سوییچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.
خودروهای برقی، قطار، اینورترهای جوش و برش، UPS، یخچال ها، تردمیل،
دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده ها استفاده می شود.
محصول مرتبط با آی جی بی تی ماژول FF100R12KS4
نام قطعه | آی جی بی تی ماژول FF100R12KS4 |
---|---|
برند | Infineon |
پکیج | MODULE |
سری | IGBT Modules |
کشور سازنده | آلمان |
دمای کاری | 125+~40- |
نوع مونتاژ | DIP |
جریان کاری | 100 آمپر |
ولتاژ کاری | 1200 ولت |
IC(25°C) | 150A |
IC(HIGH TEMP) | 100A |
ICM-IC PULSE | 200A |
Ptot-PD | 780W |
VGE | ±20V |
VGE(th) | 4.5-5.5-6.5V |
VCE | 1200V |
VCE(sat) | 3.20-3.70V |
td(ON) | 0.10µs |
td(off) | 0.53µs |
tr | 0.06µs |
درمورد این محصول دیدگاه درج کنید.
5 در انبار
در زیر میتوانید پاسخ سوالات خود را بیابید. در غیر این صورت از ما بپرسید، ما همیشه به سوالات شما پاسخ خواهیم داد. (جهت ویرایش این قسمت به پیکربندی پوسته > تب متفرقه > سوالات متداول مراجعه نمایید.)
آی جی بی تی ماژول FF100R12KS4
تامین بهموقع
تعهد ارسال
بدون مرجوعی
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.