50JR22/GT50JR22 IGBTInsulated gate bipolar transistor

برند Toshiba شناسه محصول: MTELIG210245 دسته: , ,

آی جی بی تی 50JR22 قدرت 600 ولت 50 آمپر

50JR22/GT50JR22 IGBT ساخت توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد

TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P

آی جی بی تی 50JR22

مورد استفاده در انواع :

پو پی اس ها UPS

اینورتر های خورشیدی

آخرین بروزرسانی : ۲۸ تیر ۱۴۰۰

46,500 تومان

34 در انبار

آماده ارسال
مقایسه

آیا قیمت مناسب‌تری سراغ دارید؟
بلیخیر
نقد و بررسی اجمالیInsulated gate bipolar transistor

آی جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر

50JR22/GT50JR22 IGBT ساخت توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد

TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P

آی جی بی تی 50JR22

 

مورد استفاده در انواع :

پو پی اس ها UPS

اینورتر های خورشیدی

مدارات مخابراتی

اینورترهای جوشکاری

تغذیه سوئیچینگ ها

 

معرفی آی جی بی تی IGBT

وقتی از ترانزیستور های BJT در فرکانسهای بالای کلید زنی جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده شود،

با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی‌ کنند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می‌ کنند.

به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از اِلمان کم مصرف POWER MOSFET استفاده می‌ شود، اما با بالا رفتن قدرت تلفات آن نیز زیاد می‌ شود.

اِلمان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲ قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.

این قطعه جدید IGBT نام دارد.

در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.

ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT که کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده

و در درجه اول به عنوان یک سوییچ الکترونیکی استفاده می‌ شود که در دستگاه‌ های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می‌ شود.

این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله

خودروهای برقی، قطار، اینورترهای جوش و برش، UPS، یخچال‌ ها، تردمیل، دستگاه‌ های تهویه مطبوع و حتی سیستم‌ های استریو و تقویت کننده‌ ها استفاده می‌ شود.

 

 

محصولات مرتبط با این محصول

آی جی بی تی g160n60ufd

برچسب:
مشخصات کلیInsulated gate bipolar transistor
مشخصات عمومی
برند

TOSHIBA

کشور سازنده

ژاپن

مشخصات فنی
پکیج

TO-3P

ولتاژ کاری

600 ولت

جریان کاری

50 آمپر

نوع مونتاژ

DIP

نظرات کاربرانInsulated gate bipolar transistor

لطفا پیش از ارسال نظر، خلاصه قوانین زیر را مطالعه کنید: فارسی بنویسید و از کیبورد فارسی استفاده کنید. بهتر است از فضای خالی (Space) بیش‌از‌حدِ معمول، شکلک یا ایموجی استفاده نکنید و از کشیدن حروف یا کلمات با صفحه‌کلید بپرهیزید. نظرات خود را براساس تجربه و استفاده‌ی عملی و با دقت به نکات فنی ارسال کنید؛ بدون تعصب به محصول خاص، مزایا و معایب را بازگو کنید و بهتر است از ارسال نظرات چندکلمه‌‌ای خودداری کنید. بهتر است در نظرات خود از تمرکز روی عناصر متغیر مثل قیمت، پرهیز کنید. به کاربران و سایر اشخاص احترام بگذارید. پیام‌هایی که شامل محتوای توهین‌آمیز و کلمات نامناسب باشند، حذف می‌شوند.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “50JR22/GT50JR22 IGBT”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

پرسش و پاسخInsulated gate bipolar transistor

    برای ثبت پرسش، لازم است ابتدا وارد حساب کاربری خود شوید

    نقد و بررسیInsulated gate bipolar transistor
    نقاط قوت
    نقاط ضعف