توضیحات
ماسفت IRFP150N
IRFP150N یک ماسفت قدرت با سرعت سوئیچ بالا می باشد.
با قابلیت سوییچ زنی با سرعت بالا می باشد
تحمل ولتاژ 100 ولت
تحمل جریان 42 آمپر
پکیج TO-247 اورجینال
مقاومت درین سورس 0.036 اهم
ماسفت IRFP150N ساخت IR
مورد استفاده در انواع :
- مبدل های DC به DC
- سوئیچ های با جریان و سرعت بالا
- منابع برق اضطراری ( یو پی اس ها UPS )
ماسفت IRFP150N ساخت IR
توضیح مختصری از ترانزیستور های ماسفِت
ماسفِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET)
معروف ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است.
اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.
دلیل این نام گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور. یک لایه ی اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایه ی گِیت قرار گرفته است.
این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد.
در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها. به سبب نبود علم و ابزار و امکان. با دشواری همراه بود و از همین روی،
برای پنج دهه فراموش شدند. و از میدانِ پیشرفت های الکترونیک بر کنار ماندند.
در آغازِ دهه ی ۷۰، بار دیگر نگاه ها به ماسفِت ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام های گِیت (ABAS GSM)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می گیرند.
در این ترانزیستور، گیت (پایه ی کنترلی)، جریانی نمی کشد، و چنانکه از نام ترانزیستور پیداست،
تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می شود.
از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می شود. هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی گذارد.
و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.
عمده تفاوت ماسفِت با ترانزیستور JFET در این است که :
گیت ترانزیستور های ماسفِت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است.
به این دلیل به ماسفِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می شود.
مدارهای مجتمع بر پایه ی فناوری ماسفت را می توان بسیار ریزتر و ساده تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستور های دوقطبی ساخت.
بی آن که (حتی در مدارها و تابع های پیچیده و مقیاس های بزرگ) نیازی به مقاومت. دیود یا دیگر قطعه های الکترونیکی داشته باشند.
همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن ها را آسان می کند، چندان که :
هم اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایه ی فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.
ترانزیستور های MOS، بسته به کانالی که در آن ها شکل می گیرد، N channel یا P channel نامیده می شوند.
در آغازِ کار، P channel ترانزیستورِ پر کاربرد تر در فناوری MOS بود.
اما از آن جا که ساختنِ N channel آسان تر است و مساحتِ کم تری هم می گیرد، از P channel پیشی گرفت.
ماسفت IRFP150N ساخت IR
محصول مرتبط با ماسفت IRFP150N
ماسفت IRF1404
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.