توضیحات
آی سی IR2113S SMD
آی سی IR2113S SMD از خانواده آی سی گیت درایور میباشد.
ویژگیهای فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- برند IR
- پکیج SOW-16
- نوع نصب روی برد SMD/SMT
- تعداد درایورها 2 درایور
- حداکثر ولتاژ تغذیه 20 ولت
- حداقل ولتاژ تغذیه 10 ولت
- حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
- حداکثر دمای عملیاتی 125 درجه سانتیگراد
- جریان تامین 340 میکرو آمپر
- زمان تاخیر انتشار 150 نانو ثانیه
- تعداد خروجی 2 خروجی
- جریان خروجی 2.5 آمپر
- نوع High Side, Low Side
آی سی IR2113S SMD
مدار مجتمع یا آی سی (به انگلیسی: Integrated circuit یا به اختصار IC)
همچنین مدار یکپارچه که به آن تراشه (Chip) یا ریز تراشه (Microchip) نیز می گویند،
به مجموعه ای از مدارهای الکترونیکی گفته می شود
که بر روی یک سطح صاف کوچک (چیپ) از جنس مواد نیمه رسانا (معمولاً از جنس سیلیسیم) قرار داده شده است.
با قرار دادن شمار بسیاری ترانزیستور کوچک در یک ریز تراشه، مدار هایی ساخته می شود
که از لحاظ اندازه بسیار کوچکتر، سریع تر و ارزان تر از مدار هایی است که از اجزای گسسته ساخته می شود.
مدارهای الکتریکی عموماً شامل اجزایی مانند مقاومت، خازن، سلف و ترانزیستور می باشد.
با توجه به اینکه فرایند ساخت ترانزیستور در فناوری های مدارهای مجتمع راحت تر از المان های Passive یا منفعل دیگر است،
طراحان ترجیح می دهند این المان های غیرفعال را توسط ترانزیستورها پیاده سازی کنند
و تا حد ممکن تمامی المان های مدارهای الکترونیکی را به ترانزیستور تبدیل نمایند،
سپس با فناوری های ساخت مدارهای مجتمع آن ها را پیاده سازی کنند.
هر تراشه معمولاً دارای شمار بسیاری ترانزیستور می باشد که با استفاده از فناوری پیچیده ای در داخل لایه ای از ماده نیم رسانا؛
مانند سیلیسیم همگون با پروسه های ساخت مدارهای مجتمع ساخته می شوند.
امروزه تراشه ها در بیشتر دستگاه های الکترونیکی و به ویژه رایانه ها در ابعادی گسترده به کار می روند.
وجود تراشه ها مرهون کشفیات بشر درباره ی نیمه رساناها و پیشرفت های سریع پیرامون آن ها میانه های سده بیستم می باشد.
مهم ترین المان مداری که در فناوری های مدار مجتمع ساخته می شود، ماسفت (به انگلیسی: MOSFET) می باشد.
آی سی IR2113S SMD
MOSFET HIGH VOLTAGE AND SPEED.IGBT DRIVER
The IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers
with independent high and low side referenced output channels.
Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction.
Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.
The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction.
Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications.
The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side
configuration which operates up to 500 or 600 volts.
محصول مرتبط با آی سی IR2113S SMD
آی سی SG3526N/SG3526 DIP
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.