توضیحات
آی جی بی تی IKW40T120T2/K40T1202
آی جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اورجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
قابلیت کارکرد بهینه در حالت موازی
40 آمپر در دمای 110 درجه سانتی گراد
تحمل اتصال کوتاه به مدت 10 میکرو ثانیه
40T120
IKW40N120T2
مورد استفاده در انواع :
-
- پو پی اس ها ( UPS )
- اینورترهای جوشکاری
- اینورتر های صنعتی از جمله invt،happen ،ENC و maspower
- تغذیه های سوئیچینگ
- مبدل های فرکانسی
مشخصات فنی IGBT k40T1202 :
- IGBT k40T1202 یک آیجیبیتی دیسکریت است.
- ولتاژ کاری:1200V
- جریان کاری:40A
ویزگی های IGBT k40T1202 :
- سوئیچ زنی نرم
- توان مصرفی پایین
- محافظت دمایی بالا
شمای داخلی k40T1202 :
ابعاد IGBT k40T1202 :
- طول 16 میلی متر
- عرض 40 میلی متر
آی جی بی تی IKW40T120T2/K40T1202
معرفی آی جی بی تی IGBT
وقتی از ترانزیستور های BJT در فرکانسهای بالای کلید زنی جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده شود،
با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کنند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می کنند.
به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از اِلمان کم مصرف POWER MOSFET استفاده می شود، اما با بالا رفتن قدرت تلفات آن نیز زیاد می شود.
اِلمان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲ قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.
این قطعه جدید IGBT نام دارد.
در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT که کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده
و در درجه اول به عنوان یک سوییچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.
این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله
خودروهای برقی، قطار، اینورترهای جوش و برش، UPS، یخچال ها، تردمیل،
دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده ها استفاده می شود.
آی جی بی تی IKW40T120T2/K40T1202
Best in class TO247
Short circuit withstand time – 10s
: Designed for
Frequency Converters
Uninterrupted Power Supply
TrenchStop and Fieldstop technology for 1200 V applications
: offers
very tight parameter distribution
high ruggedness, temperature stable behavior
NPT technology offers easy parallel switching capability due to
positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Low Gate Charge
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Qualified according to JEDEC1 for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
محصول مرتبط با آی جی بی تی IKW40T120T2/K40T1202
آی جی بی تی TGL40N120FD/40N120
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.