توضیحات
آی جی بی تی FGW50N60HD/50G60
600V 50A,HIGH SPEED IGBT ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت فوجی دیود هرزگرد سریع-فوجی الکتریک ژاپن
آکبند و اورجینال
امکان سوییچ تا فرکانس 60 کیلو هرتز
مورد استفاده در انواع :
-
- پو پی اس ها ( UPS )
- مورد استفاده در اینورترهای جوشکاری رونیکس
- اینورتر های صنعتی از جمله invt،happen ،ENC و maspower
- تغذیه های سوئیچینگ
- مبدل های فرکانسی
آی جی بی تی FGW50N60HD/50G60
معرفی آی جی بی تی IGBT
وقتی از ترانزیستور های BJT در فرکانسهای بالای کلید زنی جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده شود،
با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کنند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می کنند.
به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از اِلمان کم مصرف POWER MOSFET استفاده می شود، اما با بالا رفتن قدرت تلفات آن نیز زیاد می شود.
اِلمان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲ قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.
این قطعه جدید IGBT نام دارد.
در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT که کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده
و در درجه اول به عنوان یک سوییچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.
این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله
خودروهای برقی، قطار، اینورترهای جوش و برش، UPS، یخچال ها، تردمیل،
دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده ها استفاده می شود.
آی جی بی تی FGW50N60HD/50G60
Specification
Type Designator: FGW50N60HD
Type: IGBT
Marking Code: 50G60HD
Type of IGBT Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pc), W: 360
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600
Maximum Gate-Emitter Voltage |Vge|, V: 20
Maximum Collector Current |Ic| @25℃, A: 50
Collector-Emitter saturation Voltage |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Maximum Junction Temperature (Tj), ℃: 175
Rise Time (tr), typ, nS: 75
Collector Capacity (Cc), typ, pF: 210
محصول مرتبط با آی جی بی تی FGW50N60HD/50G60
آی جی بی تی TGL40N120FD/40N120
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.