توضیحات
ماسفت G23N50D
ماسفت 500 ولت 23 آمپر برند WXDH
ماسفت جدید برای اولین بار در ایران
ماسفت G23N50D برند WXDH
500V / 23A / Field Stop Mosfet
دیود هرز گرد سریع فرکانس بالا
برای اولین بار در ایران
ماسفت قدرت 500 ولت 23 آمپر
Rds=0.27Ω / N CHANNEL SILICON POWER MOSFET / 500V / 23A / TO-3P
ماسفت G23N50D یکی از ترانزیستورهای N-Channel Power MOSFET است که با ویژگیهای برجستهای که دارد،
به طور گسترده در مدارهای سوئیچینگ قدرتی استفاده میشود.
این ترانزیستور در پکیجTO-3P عرضه میشود و از فناوری سیلیکونی پیشرفته برای کاهش تلفات هدایت
و بهبود عملکرد سوئیچینگ استفاده میکند.
به طور کلی، این ماسفت به دلیل تحمل ولتاژ بالا، مقاومت کم در حالت روشن و سرعت سوئیچینگ سریع،
به یکی از قطعات کلیدی در سیستمهای الکترونیکی تبدیل شده است.
این محصول مطابق با استاندارد RoHS است که به معنای کاهش تاثیرات زیستمحیطی آن است.
ماسفت G23N50D
مشخصات فنی ماسفت 23N50D :
- ولتاژ تحمل (VDS): 500 ولت
- جریان پیوسته (ID): 23 آمپر
- مقاومت در حالت روشن (RDS(on)): 0.27Ω
- شارژ دروازه (Gate Charge): 52nC
- ظرفیت انتقال معکوس (Reverse Transfer Capacitance): 16pF
- زمان سوئیچینگ:
- زمان روشن شدن (Turn-On Time): سریع
- زمان خاموش شدن (Turn-Off Time): سریع
- ویژگیهای دیگر:
- قابلیت ESD بهبود یافته
- تست انرژی بهمن 100% تک پالس
- تست 100% ΔVDS
کاربردهای ماسفت 23N50D
ماسفت 23N50D به دلیل ویژگیهای برجستهای که دارد، در بسیاری از کاربردهای الکترونیکی استفاده میشود.
برخی از این کاربردها عبارتند از:
- مدارهای سوئیچینگ قدرت: در سیستمهای سوئیچینگ قدرت مانند منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، این ترانزیستور با مقاومت پایین و سرعت سوئیچینگ بالا، باعث کاهش تلفات انرژی و بهبود راندمان میشود.
- مدارهای آداپتور و شارژر: ماسفت 23N50D در آداپتورهای سوئیچینگ و شارژرهای دستگاههای الکترونیکی مانند موبایلها و لپتاپها استفاده میشود. این ترانزیستور به کاهش تلفات انرژی در این دستگاهها کمک کرده و به بهبود عملکرد شارژرها منجر میشود.
- سیستمهای انرژی خورشیدی: در سیستمهای خورشیدی برای مدیریت شارژ باتریها، کنترل اینورترها و سیستمهای شارژ استفاده میشود. این ترانزیستور با مقاومت کم و سرعت سوئیچینگ بالا، عملکرد بهینهای در شرایط سخت دارد.
- مدارهای صنعتی و کنترل موتور: در سیستمهای صنعتی مانند ماشینآلات، رباتیک و خودروسازی، ماسفت 23N50D به عنوان یک سوئیچینگ موثر و تقویتکننده جریان مورد استفاده قرار میگیرد. این ترانزیستور در کنترل سرعت و گشتاور موتورها نقش حیاتی دارد.
- سیستمهای مخابراتی: در تجهیزات ارتباطی مانند رادیوها و تلفنهای همراه، ماسفت 23N50D برای تقویت سیگنالها و بهبود عملکرد سیستمهای مخابراتی به کار میرود.
مورد استفاده در انواع :
- انواع اینورتر
- انواع سوئیچینگ ها
- انواع UPS
- انواع مبدل های DC به DC
ماسفت G23N50D
توضیح مختصری از ترانزیستور های ماسفِت
ماسفِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET)
معروف ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است.
اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.
دلیل این نام گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور. یک لایه ی اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایه ی گِیت قرار گرفته است.
این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد.
در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها. به سبب نبود علم و ابزار و امکان. با دشواری همراه بود و از همین روی،
برای پنج دهه فراموش شدند. و از میدانِ پیشرفت های الکترونیک بر کنار ماندند.
در آغازِ دهه ی ۷۰، بار دیگر نگاه ها به ماسفِت ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام های گِیت (ABAS GSM)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می گیرند.
در این ترانزیستور، گیت (پایه ی کنترلی)، جریانی نمی کشد، و چنانکه از نام ترانزیستور پیداست،
تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می شود.
از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می شود. هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی گذارد.
و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.
عمده تفاوت ماسفِت با ترانزیستور JFET در این است که :
گیت ترانزیستور های ماسفِت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است.
به این دلیل به ماسفِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می شود.
مدارهای مجتمع بر پایه ی فناوری ماسفت را می توان بسیار ریزتر و ساده تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستور های دوقطبی ساخت.
بی آن که (حتی در مدارها و تابع های پیچیده و مقیاس های بزرگ) نیازی به مقاومت. دیود یا دیگر قطعه های الکترونیکی داشته باشند.
همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن ها را آسان می کند، چندان که :
هم اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایه ی فناوریِ MOS طراحی و ساخته میشوند.
ترانزیستور های MOS، بسته به کانالی که در آن ها شکل می گیرد، N channel یا P channel نامیده می شوند.
در آغازِ کار، P channel ترانزیستورِ پر کاربرد تر در فناوری MOS بود.
اما از آن جا که ساختنِ N channel آسان تر است و مساحتِ کم تری هم می گیرد، از P channel پیشی گرفت.
ماسفت G23N50D
محصول مرتبط با ماسفت G23N50D
ماسفت سیلان 23N50
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.